單(dān)晶爐定義(yì)：

    單晶爐是(shi)一種在惰(duo)性氣體（氮(dàn)氣、氦氣爲(wei)主）環境中(zhong),用石墨加(jiā)熱器将多(duo)晶矽等多(duo)晶材料熔(róng)化,用直拉(lā)法生長無(wú)錯位單晶(jīng)的設備。

    單(dān)晶爐的型(xing)号與命名(ming)：

    單晶爐 型(xing)号有兩種(zhǒng)命名方式(shi)，一種爲投(tou)料量，一種(zhong)爲爐室直(zhi)徑。比如85爐(lu)，是指主爐(lú)筒的直徑(jing)大小，120、150等型(xíng)号是由裝(zhuāng)料量來決(jue)定的

    技術(shù)要求：

    1.單晶(jing)爐裝料量(liang)（單台機産(chan)能多少） 2. 能(neng)拉多長、幾(jǐ)寸的矽棒(bang) 3. 拉制晶棒(bàng)的成品率(lǜ)是多少4拉(lā)出矽棒品(pin)質（少子壽(shòu)命、電阻率(lü)、碳氧含量(liàng)、位錯密度(dù)） 5設備制造(zào)工藝控制(zhi)保證 6自動(dòng)化控制程(chéng)度 7設備主(zhǔ)要關鍵部(bù)件的配置(zhi)等 。

    1、穩定的(de)機架結構(gou)設計，增強(qiáng)了設備在(zai)晶體生長(zhǎng)過程中的(de)抗振動能(neng)力。

    2、優化的(de)液壓提升(sheng)機構确保(bao)副爐室提(tí)升和複位(wei)時的運動(dong)平穩性。 

    3、與(yu)主機分離(lí)的分水器(qì)設計，在減(jian)少冷卻水(shui)振動對晶(jīng)體生長的(de)影響的同(tong)時優化了(le)水路布局(jú)。 

    4、晶體和坩(gan)埚的提升(sheng)采用雙電(diàn)機結構，保(bǎo)證穩定的(de)低生長速(su)度以及坩(gan)埚和籽晶(jīng)的快速定(dìng)位。 

    5、采用無(wú)振動的高(gao)性能馬達(da)和低噪聲(shēng)的減速器(qi)驅動晶體(ti)和坩埚上(shang)升，可提供(gong)穩定的低(dī)生長速度(dù)。

    6、設備的真(zhen)空條件和(he)在真空下(xia)的可控惰(duò)性氣體氣(qi)流使得熱(re)區清洗最(zuì)佳化。氧化(huà)矽可以在(zài)不污染晶(jīng)體和晶體(tǐ)驅動裝置(zhì)的條件下(xia)排除。  

    7、帶隔(ge)離閥的副(fu)室可以在(zai)熱區保持(chi)工作溫度(dù)的情況下(xià)，取出長成(chéng)的晶體或(huo)者更換籽(zǐ)晶。 

    8、對惰性(xìng)氣體流量(liang)和爐室壓(yā)力高精度(dù)的控制能(neng)力，爲生長(zhǎng)高品質單(dān)晶創造了(le)條件。 

    9、爐蓋(gai)和爐腔通(tōng)過兩個提(tí)升裝置提(tí)升，很方便(bian)的轉向一(yī)邊快捷地(dì)清洗。

    10、熔化(hua)溫度通過(guo)對加熱器(qì)溫度的電(dian)控來維持(chi)和調節，加(jiā)熱電源采(cai)用直流供(gòng)電提高了(le)控制精度(dù)。高品質的(de)加熱器溫(wēn)度測量傳(chuán)感器實現(xian)了精确的(de)溫度控制(zhi)。

    12、整個晶體(tǐ)生長過程(chéng)由一個高(gao)可靠的可(ke)編程計算(suan)機控制器(qì)（PCC）控制，包括(kuò)抽真空、熔(rong)化、引晶縮(suo)頸、放肩、等(děng)經生長和(hé)尾錐生長(zhang)，晶體生長(zhǎng)全過程可(ke)實現全自(zi)動（CCD）控制：。

    13、帶(dài)有數據和(he)報警過程(cheng)控制的可(ke)視化軟件(jiàn)，存儲在計(ji)算機的硬(ying)盤中。

    單晶(jing)爐 在使用(yong)時，爐體處(chù)于高溫工(gōng)作狀态，并(bing)要求各運(yùn)動部件的(de)運動穩定(ding)可靠，精度(dù)高（尤其是(shì)坩埚驅動(dong)裝置和籽(zǐ)晶旋轉及(ji)提升機構(gou)），工作時間(jian)長。因此，在(zai)使用過程(cheng)中，要注意(yi)設備的維(wei)護與保養(yang)。 

    坩埚驅動(dong)裝置 

    坩埚(guō)驅動裝置(zhì)要求的運(yùn)動精度比(bi)較高，是設(she)備的核心(xin)運動部件(jian)，應重點維(wei)護。坩埚軸(zhóu)是石墨坩(gan)埚的支撐(cheng)軸，應随時(shi)檢查其冷(lěng)卻水的情(qíng)況，以免燒(shāo)損。坩埚驅(qu)動采用滾(gun)珠絲杠和(hé)直線導軌(gui)結構，是坩(gān)埚驅動的(de)關鍵部件(jiàn)，需保持清(qing)潔，嚴禁灰(hui)塵、雜物附(fu)着，并定期(qi)塗抹潤滑(hua)脂。

    籽晶旋(xuan)轉及提升(shēng)機構的維(wéi)修 

    籽晶旋(xuan)轉及提升(shēng)機構也是(shi)單晶爐的(de)關鍵部件(jian)，該部件運(yùn)行的好壞(huai)直接影響(xiang)單晶的生(sheng)長。因此，也(ye)須重點維(wei)護。  卷輪箱(xiāng)是籽晶提(ti)升的核心(xīn)，卷輪箱内(nèi)的零件一(yi)般情況下(xià)不得随意(yi)拆除，必須(xu)拆除時，重(zhòng)新安裝時(shí)必須保證(zheng)軟軸對中(zhōng)。軟軸鋼絲(sī)繩在使用(yong)中不準有(yǒu)死彎現象(xiang)，并在每次(ci)開爐時檢(jian)查鋼絲繩(sheng)是否燒損(sǔn)，如有燒損(sun)應及時修(xiū)整或更換(huàn)新的鋼絲(si)繩。

    其餘部(bu)件的維修(xiu)

    每次開單(dan)晶爐 前應(yīng)檢查水路(lu)系統是否(fou)暢通，水溫(wēn)檢測傳感(gan)器安裝是(shi)否正常。發(fā)現有結垢(gou)時應及清(qīng)理。在拉晶(jīng)過程中，若(ruò)發現水壓(ya)報警或漏(lòu)水時要及(jí)時采取措(cuo)施。  真空管(guǎn)道的過濾(lü)網每爐要(yào)清理一次(ci)，抽氣管道(dào)每20～30爐清理(li)一次。