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傳(chuán)統使用的單晶(jing)爐所存在的問(wèn)題[2014/7/9]在晶矽組件中(zhong),單晶矽組件與(yǔ)多晶矽組件相(xiang)比,因其具有較(jiao)高的光電轉換(huàn)率、發電性穩定(dìng)等優點而在市(shì)場上占據重要(yào)的地位。單晶爐(lu)是單晶矽組件(jiàn)生産過程中的(de)主要生産設備(bèi),各單晶生産廠(chang)商主要采用二(er)次增料技術來(lai)提高單晶爐的(de)生産效率。目前(qián),國内單晶生産(chǎn)廠商在單晶爐(lu)二次增料裝置(zhi)方面取得了一(yī)定的成果。但是(shì),在長期的生産(chan)應用過程中這(zhè)些裝置都有不(bu)同程度的缺陷(xian),爲了提高二次(cì)增料裝置的性(xìng)能,本文對原裝(zhuāng)置進行了結構(gòu)改進。 單晶爐二(èr)次增料時的原(yuan)料形狀一般分(fen)爲塊狀矽料、粉(fen)末狀矽料和棒(bàng)狀矽料。粉末狀(zhuàng)矽料可以利用(yòng)專用設備壓制(zhì)成塊狀,棒狀矽(xī)料經過水爆機(jī)後形成塊狀矽(xi)料。因此.塊狀矽(xī)料的二次增料(liao)裝置可以實現(xiàn)三種不同形狀(zhuang)矽料往單晶爐(lú)内的添加,大多(duo)數企業采用塊(kuài)狀矽料二次增(zēng)料裝置來實現(xian)單晶爐生産效(xiào)率的提高, 圖1爲(wèi)某塊狀矽料的(de)單晶爐二次增(zēng)料裝置結構示(shi)意圖。 該二次增(zēng)料裝置的工作(zuò)原理是:拉杆1可(kě)以在固定圈2和(hé)定位圈4内左右(yòu)移動,當沿着豎(shu)直方向提起拉(la)杆1時,拉杆1底部(bù)的錐形面與外(wài)簡5相接觸,此時(shi),将塊狀矽料從(cóng)固定圈2與外筒(tǒng)5之間的空隙中(zhong)添加至外筒5内(nei),直至添滿,從而(er)實現二次增料(liào)裝置的裝料;接(jie)着,提拉盛滿塊(kuai)狀矽料的二次(cì)增料裝置至單(dān)晶爐内,使支撐(chēng)圈3與單晶爐内(nèi)部的匹配部位(wèi)相吻合,松開提(ti)拉杆1,在矽料重(zhong)力的作用下,拉(lā)杆1底部的錐面(mian)與外筒5相分離(lí),此時拉杆1底部(bu)的錐面位置如(ru)虛線所示,塊狀(zhuàng)矽料從外筒5與(yǔ)拉杆1底部錐面(miàn)之間的空隙流(liú)人盛有熔融矽(xi)料的石英坩埚(guō)中,二次增料裝(zhuāng)置内的矽料自(zi)由下到單晶爐(lú)内的石英坩埚(guō)中,實現單晶爐(lú)的二次增料。 存(cún)在問題 該單晶(jing)爐 二次增料裝(zhuāng)置存在主要問(wèn)題如下: (1)、卡料:由(you)于矽料之間、矽(xi)料與裝置内部(bu)的部件之間存(cun)在摩擦力,落料(liào)時,矽料容易卡(ka)殼,甚至矽料卡(ka)住拉杆1,緻使其(qí)底部錐面與外(wai)筒5之間不能形(xíng)成間隙,塊狀矽(xi)料不能實現下(xia)落; (2)、污染:矽料在(zài)實現落料的過(guo)程中,拉杆1底部(bù)錐面會被下面(mian)熔融矽料(單晶(jīng)爐内)的高溫所(suo)氧化而污染矽(xi)料,從而影響拉(la)晶工藝或矽棒(bàng)質量等缺點。
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