單晶爐(lu)在使用(yong)前一定(ding)要認真(zhen)的閱讀(du)操作規(guī)程，以免(mian)發生意(yi)外和導(dǎo)緻設備(bei)的損壞(huài)。

1、清爐、裝(zhuang)爐：清洗(xi)整個爐(lú)室内壁(bi)及加熱(re)線圈、反(fǎn)射器、晶(jing)體夾持(chí)器、上軸(zhóu)、下軸，調(diao)整加熱(re)線圈和(hé)反射器(qì)的水平(píng)及與上(shang)軸、下軸(zhou)的對中(zhong)；将多晶(jing)料夾具(ju)固定到(dào)多晶料(liào)尾部的(de)刻槽處(chù)，然後将(jiang)其安裝(zhuāng)到上軸(zhóu)末端，進(jìn)行多晶(jing)料的對(dui)中；将籽(zi)晶裝入(rù)籽晶夾(jiá)頭上，然(ran)後将其(qi)安裝到(dào)下軸頂(dǐng)端；關閉(bì)各個爐(lu)門，擰緊(jǐn)各緊固(gù)螺栓； 

2、抽(chōu)空、充氣(qì)，預熱：打(da)開真空(kōng)泵及抽(chōu)氣管道(dao)閥門，對(dui)爐室進(jìn)行抽真(zhen)空，真空(kōng)度達到(dao)所要求(qiu)值時，關(guān)閉抽氣(qi)管道閥(fa)門及真(zhēn)空泵，向(xiàng)爐膛内(nei)快速充(chong)入氩氣(qì)；當充氣(qi)壓力達(da)到相對(dui)壓力 1bar-6bar時(shí)，停止快(kuai)速充氣(qi)，改用慢(màn)速充氣(qì)，同時打(dǎ)開排氣(qì)閥門進(jin)行流氩(yà)；充氣完(wán)畢後，對(dui)多晶矽(xī)棒料進(jìn)行預熱(rè)，預熱使(shi)用石墨(mo)預熱環(huan)，使用電(dian)流檔，預(yu)熱設定(dìng)點25-40％，預熱(re)時間爲(wèi)12-07分鍾； 

3、化(hua)料、引晶(jing)：預熱結(jié)束後，進(jin)行化料(liào)，化料時(shí)轉入電(diàn)壓檔，發(fā)生器設(shè)定點在(zài)40-60％；多晶料(liào)熔化後(hou)，将籽晶(jīng)與熔矽(xī)進行熔(rong)接，熔接(jiē)後對熔(rong)區進行(háng)整形，引(yin)晶； 

4、生長(zhang)細頸：引(yin)晶結束(shù)後，進行(háng)細頸的(de)生長，細(xi)頸的直(zhí)徑在2-6mm，長(zhang)度在30-60mm； 

5、擴(kuò)肩及氮(dan)氣的充(chōng)入：細頸(jing)生長結(jie)束後，進(jin)行擴肩(jian)，緩慢減(jiǎn)少下速(su)至3±2mm/min，同時(shí)随着擴(kuò)肩直徑(jìng)的增大(dà)不斷減(jiǎn)少下轉(zhuǎn)至8±4rpm，另外(wai)還要緩(huǎn)慢減小(xiǎo)上轉至(zhì)1±0.5rpm；爲了防(fáng)止高壓(yā)電離，在(zai)氩氣保(bǎo)護氣氛(fen)中充入(rù)一定比(bǐ)例的氮(dàn)氣，氮氣(qì)的摻入(ru)比例相(xiàng)對于氩(ya)氣的 0.01％-5％；

6、轉(zhuan)肩、保持(chí)及夾持(chí)器釋放(fàng)：在擴肩(jian)直徑與(yǔ)單晶保(bao)持直徑(jing)相差3-20mm時(shí)，擴肩的(de)速度要(yào)放慢一(yi)些，進行(hang)轉肩，直(zhi)至達到(dao)所需直(zhi)徑，單晶(jīng)保持，等(děng)徑保持(chi)直徑在(zai)75mm-220mm，單晶生(sheng)長速度(dù)1mm/分-5mm/分，在(zài)擴肩過(guò)程中，當(dang)單晶的(de)肩部單(dān)晶持器(qi)的銷子(zǐ)的距離(lí)小于2mm時(shí)釋放夾(jiá)持器，将(jiāng)單晶夾(jia)住；

7、收尾(wei)、停爐：當(dang)單晶拉(lā)至尾部(bu)，開始進(jìn)行收尾(wěi)，收尾到(dao)單晶的(de)直徑達(da)到Φ10-80mm，将熔(róng)區拉開(kai)，這時使(shǐ)下軸繼(jì)續向下(xià)運動，上(shang)軸改向(xiàng)上運動(dong)，同時功(gōng)率保持(chí)在40±10％，對晶(jing)體進行(hang)緩慢降(jiàng)溫。