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新聞中(zhong)心
單晶爐(lu)的勾型磁(ci)場結構與(yu)分析過程(cheng)[2014/6/30]有限元的(de)分析過程(cheng) 在分析磁(ci)場強度和(hé)分布之前(qián),首先要知(zhi)道何種磁(cí)場分布及(ji)強度可有(you)效地抑制(zhi)坩埚内熔(róng)融體的熱(re)對流。根據(ju)已有研究(jiu)結果表明(míng):在直拉法(fǎ)拉制單晶(jing)過程中,對(duì)熔融體的(de)熱對流起(qi)主要抑制(zhi)作用的磁(ci)場是兩個(gè)線圈之間(jiān)中心很窄(zhai)區域磁場(chǎng)的徑向分(fèn)量Bx,。将這個(gè)區域施加(jiā)在熔融體(tǐ)不同的軸(zhou)向位置所(suo)起的抑制(zhì)作用的強(qiáng)度不同,隻(zhi)有施加于(yú)熔融體液(ye)面頂部可(ke)最大限度(du)抑制其流(liú)動,雖然這(zhe)種作用在(zai)局部,但可(ke)極大地降(jiang)低坩埚内(nèi)整體熔融(róng)體的對流(liú)強度。在實(shí)際拉制單(dān)晶過程中(zhōng)磁場徑向(xiang)分量曰,最(zui)大面始終(zhōng)保持在熔(rong)體液面下(xia)10mm處已證明(míng)。從以上結(jié)論可知:在(zài)設計磁場(chang)參數時,盡(jin)可能使磁(ci)場的最強(qiáng)區域的徑(jing)向分量曰(yue),最大,要使(shǐ)徑向分量(liàng)B;達到最大(da)就必須分(fèn)析影響磁(cí)場強度B,大(dà)小的主要(yào)參數,如線(xiàn)圈匝數Ⅳ和(he)直流電流(liu)I線圈之間(jian)的距離D等(děng)。 我們采用(yong)有限元法(fa)對磁場進(jìn)行模拟分(fèn)析。該方法(fǎ)是對分析(xi)對象通過(guo)劃分網格(gé),求解出有(yǒu)限個單元(yuan)點的數值(zhí)近似得到(dao)真實環境(jìng)的無限個(gè)未知量。其(qi)求解步驟(zhou)爲:首先,根(gen)據磁場的(de)結構尺寸(cun)建立磁屏(píng)蔽和磁場(chǎng)内部空間(jiān)的軸對稱(chēng)二維幾何(hé)模型,并劃(hua)分線圈内(nèi)部和磁屏(ping)蔽體網格(ge)生成有限(xiàn)個單元模(mo)型。其次,根(gēn)據材料特(tè)性分别爲(wei)磁屏蔽體(tǐ)和線圈内(nei)部模型賦(fù)予B-H曲線數(shu)值、空氣特(tè)性。再次,依(yī)據線圈的(de)形狀和匝(zā)數,施加外(wai)部載荷和(he)邊界條件(jian)。求解出模(mo)型中有限(xiàn)個單元點(dian)的磁場強(qiang)度數值。最(zuì)後,通過後(hou)處理計算(suàn)得到磁場(chang)分布曲線(xian)。根據TDK-70型單(dān)晶爐的具(jù)體尺寸采(cǎi)用表1所給(gei)出的幾何(hé)尺寸進行(háng)磁場的強(qiang)度和分布(bu)模拟分析(xi)。由于勾形(xing)磁場爲軸(zhóu)對稱分布(bu)且以兩個(gè)線圈之間(jiān)的中心面(miàn)爲上下對(duì)稱,所以在(zài)模拟分析(xi)時取線圈(quān)軸向剖面(mian)(x-y平面)的一(yi)個象限可(kě)反映整個(ge)磁場的分(fen)布情況。在(zai)建立有限(xiàn)元模型時(shi),分别取兩(liang)個線圈之(zhī)間中心的(de)徑向和線(xian)圈軸線爲(wèi)x、y坐标軸。
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