你了解單(dan)晶爐嗎？單晶爐在(zài)制作工藝上的拉(lā)制方法具體該怎(zen)麽做呢？

第一種：區(qū)熔法

區熔法的操(cao)作工藝就是爲了(le)避免熔體與坩埚(guō)間的化學反應造(zào)成的污染，而發展(zhǎn)起來的無增埚晶(jīng)體生長工藝。

這種(zhong)方法隻适用于熔(rong)體表面張力系數(shù)大的晶體生長。垂(chuí)直安裝一根多晶(jīng)體棒，用水冷射頻(pin)感，使應加熱使棒(bàng)的一端熔化。依靠(kao)熔體的表面張力(li)和電場産生的懸(xuán)浮力，使熔體與晶(jīng)棒粘附在一起。把(bǎ)一根經過定向處(chu)理的籽晶端部侵(qin)入熔體，利用加熱(re)器與晶體熔體的(de)相對運動使多晶(jing)棒不斷地熔化，而(er)另一側逐漸生成(cheng)晶體。這種方法會(hui)讓生長的晶體不(bu)會受坩埚的污染(ran)。

第二種：直拉法

直(zhi)拉法又稱“恰克拉(lā)斯基法”（Czochralski）法，簡稱CZ法(fa)。是生長單晶矽的(de)主要方法。該法是(shi)在直拉法(CZ)單晶爐(lu)内，将原料（多晶矽(xī)）裝在一個坩埚中(zhōng)使其加熱至熔融(rong)狀，向熔矽中引入(ru)籽晶，籽晶夾在提(ti)拉杆的下端，控制(zhì)溫度合适。當籽晶(jīng)和熔矽達到平衡(heng)時，熔液會靠着表(biǎo)面張力的支撐吸(xi)附在籽晶的下方(fāng)。此時邊旋轉邊提(ti)拉籽晶，這些被吸(xī)附的熔體也會随(suí)着籽晶往上運動(dong)。向上運動的過程(cheng)中熔體溫度下降(jiàng)，将使得熔體凝結(jie)成晶且随着籽晶(jīng)方向生長成單晶(jīng)棒。

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